超薄替代硅

有趣的看新闻 http://rss.slashdot.org/~r/Slashdot/slashdot/~3/z5kXHETkTQw/story01.htm:
一位不愿透露姓名的读者写道：“有好消息，对于半导体下一代搜索。与劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的研究人员已经成功地整合了到一个硅半导体砷化铟超薄层基材，以建立一个纳米晶体管优良的电子特性（摘要）。一个对半导体III - V族家庭成员，砷化铟提供了几个优点作为硅的替代包括高级电子迁移率和速度，这使得它成为未来高速杰出的候选人，低电源。电子设备“

阅读这个故事更在Slashdot。