三星'3 ð的记忆来了，50％致密

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CWmike写道：“上周二三星电子宣布了新的8GB双列直插内存模块（DIMM）的顶部对方，这增加了记忆体50％的密度比常规DIMM技术的堆叠内存芯片。三星的新注册或缓冲（RDIMM ）产品是基于其目前的绿色的DDR3 DRAM和40纳米（nm）的大小的电路。新的内存模块是在服务器和企业存储市场的目的。在三维（3D）的芯片堆叠的过程中提到的内存通过硅作为经（TSV）的产业。三星表示，TSV的过程中节省了由传统的40％的电力消耗RDIMM。利用TSV技术将大大提高下一代服务器系统芯片密度，三星表示，使它成为有吸引力的高密度，高性能的系统。“

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