2010年12月18日星期六

物理学家提高自旋信息存储

有趣的看新闻 http://rss.slashdot.org/~r/Slashdot/slashdot/~3/bOjLmTTUiRg/story01.htm:
schliz写道:“研究人员已经进入了发展的自旋电子记忆体,成功地从一个电子自旋转移到更强大的信息原子核和获取信息100秒2,000次才腐烂(摘要)的进展。这次示威是利用掺磷硅在一个高度磁化,低温环境(8.59特斯拉,-269.5摄氏度)。其他的研究人员完成一个较弱的自旋磁场(0.3特斯拉)的30个小时的寿命。“

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