普渡大学的研究表明，低功耗，快速FeTRAM内存

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eldavojohn写道，“普渡大学Birck纳米技术中心的研究人员已经发布了新闻的概念，新的铁电晶体管随机存取记忆体或的证据”FeTRAM。“这项新技术是非易失性的的，研究人员声称，它可以使用高达99％的能量低于目前的快闪记忆体与最FeRAM的技术，使用一个电容，FeTRAM提供无损读出存储信息，而不是使用的铁电晶体管从文章。“新技术与产业互补金属氧化物半导体，CMOS用于生产电脑芯片，制造工艺兼容，它有可能取代传统的内存系统。“因此，如果他们投入生产，您可能没有担心你的笔记本电脑烹饪你的生殖器。他​​们已经发表在ACS（paywalled）教授领导的研究晶体管纳米技术有关的许多专利提起。“

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