科技新聞
2010年12月18日星期六
物理学家提高自旋信息存储
有趣的看新闻 http://rss.slashdot.org/~r/Slashdot/slashdot/~3/bOjLmTTUiRg/story01.htm:
schliz写道:“研究人员已经进入了发展的自旋电子记忆体,成功地从一个电子自旋转移到更强大的信息原子核和获取信息100秒2,000次才腐烂(摘要)的进展。这次示威是利用掺磷硅在一个高度磁化,低温环境(8.59特斯拉,-269.5摄氏度)。其他的研究人员完成一个较弱的自旋磁场(0.3特斯拉)的30个小时的寿命。“
阅读这个故事更
在Slashdot。
沒有留言:
發佈留言
較新的文章
較舊的文章
首頁
訂閱:
發佈留言 (Atom)
沒有留言:
發佈留言