三星开发的电源，喝着DDR4内存

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亚历克斯写道：这从TechSpot摘录：“三星电子公司宣布，它完成了业界第一个DDR4内存模块的最后一个月的发展，采用30nm的一流工艺技术，并提供1.2V的2GB的DDR4缓冲双列直插内存模块（UDIMM），以控制器的制造商进行测试。新的DDR4记忆体模组可以实现数据传输的2.133Gbps速率为1.2V，1.35V和1.5V相比，在同等30nm的一流工艺技术的DDR3记忆体，具有速度可达1.6Gbps。在一个笔记本，DDR4模块降低百分之四十相比，在1.5V的DDR3模块的功耗。模块使得伪漏极开路（POD）的技术，它允许DDR4内存消耗只是一半DDR3的电流时使用的阅读和写作数据。“

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