2011年7月1日星期五

IBM创建多相变存储器位

有趣的新闻的网址:http://rss.slashdot.org/~r/Slashdot/slashdot/~3/3a-U2sAMnI8/IBM-Creates-Multi-Bit-Phase-Change-Memory:

Lucas123写道:“在什么是可能的强劲对手,以NAND快闪记忆体,IBM今天宣布,它已经能够成功地存储多个数据单元,每一个更稳定的非易失性内存位称为相变存储器(PCM )与非,在此之前,PCM无法抗衡闪光灯,因为它的低容量。PCM不要求数据被删除之前,新的数据写入到它,从而降低了写放大或磨损,它拥有100倍在闪光。IBM的研究人员说,他们计划写性能许可,而不是它本身的生产技术,记忆体制造商。“


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